중국 CXMT의 기술 추격 우려 재부각…글로벌 메모리 반도체주 약세

중국 CXMT, 차세대 D램 구조 ‘4F²’ 진전 발표…글로벌 메모리 반도체주 동반 약세

중국 메모리 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 D램 셀 구조 개발에서 진전을 이뤘다고 밝히면서 중국 반도체 업계의 기술 추격에 대한 우려가 다시 부각됐다. 이 여파로 한국과 미국 증시에서 메모리 반도체 종목이 일제히 약세를 보였다.

홍콩 언론 보도에 따르면 CXMT는 ‘4F²’ 기술에서 “핵심적인 진전”을 이뤘다고 발표했다. 4F²는 삼성전자와 SK하이닉스 등 글로벌 경쟁사들도 개발 중인 차세대 D램 셀 구조다. 안후이성 허페이에 본사를 둔 CXMT는 중국 최대 D램 제조사다.

CXMT는 지난 7월 27일 상하이증권거래소 커촹반(과학혁신판)에 상장했다. 공모 규모는 579억2,000만위안(약 86억달러)으로 올해 아시아 최대 규모의 기업공개(IPO)였다. 공모가 8.66위안에 상장한 주가는 첫날 49위안에 마감해 약 466% 급등했다. 시가총액은 약 3조3,000억위안으로, 공상은행을 제치고 중국 본토 증시 1위에 올랐다.

현재 CXMT의 세계 D램 시장 점유율은 10% 안팎이다. 전체 매출에서 서버용 제품이 차지하는 비중은 2024년 8.4%에서 지난해 26.5%로 높아졌다.

다만 CXMT의 IPO 투자설명서에는 고대역폭메모리(HBM) 전용 프로젝트가 포함되지 않았다. 업계 분석에 따르면 CXMT DDR5 제품의 비트당 원가는 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론보다 30% 이상 높은 수준이다.

셀 면적 줄이는 4F²와 수직형 트랜지스터 VSG

4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 나타내는 개념이다. 여기서 F는 반도체 소자의 최소 선폭을 뜻하며, 4F²는 셀 하나가 한 변이 F인 정사각형 네 개 크기의 면적을 차지한다는 의미다. 현재 주류 D램은 6F² 구조를 사용하고 있어, 4F²로 전환하면 같은 면적에 더 많은 셀을 배치할 수 있다.

CXMT는 자체 개발한 수직형 트랜지스터 기술인 VSG(Vertical Surrounding Gate)를 통해 전류 누설을 줄이고 메모리 집적도와 전력 효율을 높일 수 있다고 설명했다. 트랜지스터를 수평으로 배치하는 기존 방식과 달리 수직으로 세우고 게이트가 채널을 둘러싸도록 만든 구조로, 셀 면적을 줄이면서도 누설 전류를 억제하는 것이 핵심이다. 회사 측은 이 구조를 적용하면 메모리 집적도를 30~50% 높일 수 있다고 밝혔다.

차오칸위 CXMT 사장은 주말 상하이에서 열린 업계 행사에서 이 같은 성과를 소개했다. 그는 해당 구조를 기반으로 한 차세대 DDR5 RDIMM 등 서버용 메모리 제품을 올해 말까지 내놓을 계획이라고 밝혔다.

국내 업체들도 같은 방향의 기술을 준비해 왔다. SK하이닉스는 지난해 4F² 구조의 수직게이트(VG) D램을 포함한 차세대 D램 로드맵을 공개했고, 삼성전자는 2028년께 이 구조를 적용한 10나노 미만 D램 양산을 추진하는 것으로 알려져 있다.

코스피 3.65% 급락, 외국인 2조원 순매도

12일 아시아 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 하락을 이끌었다. 코스피는 전 거래일보다 241.69포인트(3.65%) 내린 6,384.24에 마감하며 9월 초 이후 하루 최대 낙폭을 기록했다.

삼성전자는 4.39% 하락한 25만500원, SK하이닉스는 4.52% 내린 160만5,000원에 거래를 마쳤다. 이날 유가증권시장에서 외국인은 약 2조원어치를 순매도했으며, 이 가운데 SK하이닉스가 1조원 이상, 삼성전자가 5,300억원 이상을 차지했다.

마이크론 4% 하락, 샌디스크 6% 급락

미국 시장에서도 메모리주 매도세가 이어졌다. 프리마켓에서 마이크론, 샌디스크, 웨스턴디지털 등 메모리주가 약세를 보였고, 정규장에서도 하락 흐름이 유지됐다.

마이크론은 4% 하락한 984.28달러에 마감했다. 마이크론 주가는 올해 들어 245% 오른 상태였지만, 이날 하락으로 6월 기록한 사상 최고가 대비 15%가량 낮은 수준까지 내려왔다.

SK하이닉스 주식예탁증서(ADR)도 4% 내린 162.13달러를 기록했고, 웨스턴디지털은 2% 하락한 389.04달러에 장을 마쳤다. 샌디스크는 약 6%, 시게이트는 약 4% 떨어졌으며, 메모리 반도체 종목으로 구성된 라운드힐 메모리 ETF도 4% 하락했다.

반도체주 약세에 뉴욕증시 기술주 지수도 밀렸다. 나스닥 종합지수는 0.44%, 나스닥100 지수는 0.71% 하락했고, S&P500 지수는 0.06% 내린 7,807.24에 마감했다. 다우지수는 0.38% 상승했다. 반면 마이크로소프트는 자체 AI 칩을 대규모로 도입하겠다는 계획을 내놓으며 0.9% 올랐다.

시장은 13일 JP모건과 골드만삭스, 씨티그룹, 웰스파고 등 대형 은행을 시작으로 3분기 실적 발표 시즌에 들어가며, 14일에는 9월 소비자물가지수(CPI)가 공개된다. 실적 시즌 초반에는 은행주가 주목받지만, 이달 하순부터는 대형 기술주와 반도체 기업들의 실적 발표가 이어진다.

사상 최대 실적 이어온 메모리 업계

이번 하락은 메모리 업계가 인공지능(AI) 수요를 바탕으로 사상 최대 실적을 이어가는 가운데 나왔다. 마이크론은 지난달 말 발표한 2026 회계연도 4분기 실적에서 매출 542억3,000만달러, 조정 주당순이익(EPS) 33.42달러를 기록해 시장 예상치인 매출 509억7,000만달러, EPS 31.35달러를 웃돌았다.

조정 매출총이익률은 87%로 1년 전 45.7%에서 크게 높아졌다. 마이크론은 2027 회계연도 1분기 매출 가이던스 중간값으로 615억달러, EPS 38.15달러를 제시했다. 부문별로는 코어 데이터센터 매출이 180억달러, 클라우드 메모리 매출이 162억8,000만달러에 달했다.

산제이 메로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 실적 발표 당시 “수요와 공급이 언제 균형을 되찾을지 가시성이 없다”며 “2027년과 2028년에도 수요가 공급을 웃돌 것으로 본다”고 말했다.

12일 혹 탄 브로드컴 CEO는 싱가포르에서 열린 DBS 주최 콘퍼런스에서 웨이퍼와 메모리 부족 문제가 해소되고 있으며, 자본이 가장 큰 제약이라고 언급했다. 그는 AI 연산 수요가 앞으로 2년간 공급을 웃돌 것이라고 말했다.

메모리 공급 부족은 업계 지형도 바꿔 놓았다. 매트 머피 마벨 테크놀로지 CEO는 지난 6월 대만 컴퓨텍스에서 메모리 병목 현상이 시가총액 1조달러 기업 세 곳을 탄생시켰다고 언급한 바 있다. HBM과 서버용 D램 수요가 몰리면서 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 업체들은 생산 능력 확대에 나서고 있다.